NTTFS6H854NTAG ON Semiconductor


nttfs6h854n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Single N Channel Power MOSFET
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS6H854NTAG ON Semiconductor

Description: TRENCH 8 80V NFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTTFS6H854NTAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS6H854NTAG NTTFS6H854NTAG Виробник : onsemi nttfs6h854n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
товар відсутній
NTTFS6H854NTAG NTTFS6H854NTAG Виробник : onsemi nttfs6h854n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
NTTFS6H854NTAG NTTFS6H854NTAG Виробник : onsemi NTTFS6H854N_D-2905926.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній