Продукція > ONSEMI > NTTFS6H850NLTAG
NTTFS6H850NLTAG

NTTFS6H850NLTAG onsemi


nttfs6h850nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+29.94 грн
3000+ 27.14 грн
7500+ 25.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS6H850NLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTTFS6H850NLTAG за ціною від 33.21 грн до 67.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS6H850NLTAG NTTFS6H850NLTAG Виробник : onsemi nttfs6h850nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 8937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.85 грн
10+ 53.65 грн
100+ 41.76 грн
500+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS6H850NLTAG NTTFS6H850NLTAG Виробник : ON Semiconductor NTTFS6H850NL_D-2319362.pdf MOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)