Продукція > ONSEMI > NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG

NTTFS5D9N08HTWG onsemi


nttfs5d9n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS5D9N08HTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTTFS5D9N08HTWG за ціною від 56.72 грн до 146.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Виробник : onsemi nttfs5d9n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.85 грн
10+ 109.24 грн
100+ 86.92 грн
500+ 69.02 грн
1000+ 58.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Виробник : onsemi NTTFS5D9N08H_D-2319473.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.78 грн
10+ 119.63 грн
100+ 82.94 грн
250+ 76.61 грн
500+ 69.3 грн
1000+ 59.67 грн
3000+ 56.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5D9N08HTWG Виробник : ON Semiconductor nttfs5d9n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній