![NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/388613f07270298ccb60d0491593d65ca254e779/nttfs5c460nltag.jpg)
NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
352+ | 34.42 грн |
354+ | 34.21 грн |
367+ | 33 грн |
381+ | 30.66 грн |
500+ | 27.31 грн |
1000+ | 25.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTTFS4C08NTAG за ціною від 13.8 грн до 73.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
товар відсутній |