Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTTFS4C02NTAG
NTTFS4C02NTAG

NTTFS4C02NTAG ON Semiconductor

nttfs4c02n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+57.96 грн
25+ 57.56 грн
100+ 55.11 грн
250+ 50.68 грн
500+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS4C02NTAG ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTTFS4C02NTAG за ціною від 28.36 грн до 74.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c02n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+62.86 грн
194+ 62.42 грн
195+ 61.99 грн
197+ 59.35 грн
250+ 54.58 грн
500+ 52.02 грн
Мінімальне замовлення: 193
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG Виробник : onsemi NTTFS4C02N_D-2319214.pdf MOSFET AFSM T6 30V NCH U8FL
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.06 грн
10+ 62.51 грн
100+ 44.32 грн
250+ 44.25 грн
500+ 37.56 грн
1000+ 36.24 грн
1500+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG Виробник : onsemi nttfs4c02n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.63 грн
10+ 58.87 грн
100+ 45.83 грн
500+ 36.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C02NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c02n-d.pdf
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c02n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c02n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG Виробник : onsemi nttfs4c02n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній