![NTTFS1D8N02P1E NTTFS1D8N02P1E](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/PQFN-8_DSL.jpg)
на замовлення 13360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.03 грн |
10+ | 109 грн |
100+ | 82.24 грн |
250+ | 81.54 грн |
500+ | 74.57 грн |
1000+ | 68.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS1D8N02P1E onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V.
Інші пропозиції NTTFS1D8N02P1E за ціною від 73.15 грн до 171.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTFS1D8N02P1E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTTFS1D8N02P1E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V |
товар відсутній |