Продукція > ONSEMI > NTTFS1D2N02P1E
NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E onsemi

nttfs1d2n02p1e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+67.13 грн
6000+ 62.21 грн
9000+ 60.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS1D2N02P1E onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V.

Інші пропозиції NTTFS1D2N02P1E за ціною від 61.87 грн до 158.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS1D2N02P1E NTTFS1D2N02P1E Виробник : onsemi nttfs1d2n02p1e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 15548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.9 грн
10+ 119.06 грн
100+ 94.78 грн
500+ 75.26 грн
1000+ 63.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS1D2N02P1E NTTFS1D2N02P1E Виробник : onsemi NTTFS1D2N02P1E_D-2319021.pdf MOSFET 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.97 грн
10+ 131.12 грн
100+ 90.38 грн
250+ 83.43 грн
500+ 75.78 грн
1000+ 64.66 грн
3000+ 61.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS1D2N02P1E Виробник : ON Semiconductor nttfs1d2n02p1e-d.pdf
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)