Продукція > ONSEMI > NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC

NTTFS022N15MC onsemi


nttfs022n15mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+80.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS022N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTTFS022N15MC за ціною від 75.2 грн до 241.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC Виробник : ONSEMI 3191527.pdf Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+233.45 грн
10+ 171.46 грн
100+ 131.22 грн
500+ 106.89 грн
1000+ 83.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC Виробник : onsemi nttfs022n15mc-d.pdf Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.41 грн
10+ 152.04 грн
100+ 106.12 грн
500+ 81.14 грн
1000+ 75.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS022N15MC Виробник : onsemi NTTFS022N15MC_D-2319414.pdf MOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.49 грн
10+ 174.95 грн
100+ 120.56 грн
250+ 111.23 грн
500+ 101.18 грн
1000+ 86.83 грн
3000+ 81.81 грн
Мінімальне замовлення: 2