![NTTFD022N10C NTTFD022N10C](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/WDFN12-510CJ_t.jpg)
NTTFD022N10C onsemi
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 241.13 грн |
10+ | 199.56 грн |
100+ | 140.37 грн |
500+ | 124.85 грн |
1000+ | 107.22 грн |
3000+ | 100.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFD022N10C onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3).
Інші пропозиції NTTFD022N10C за ціною від 106.18 грн до 227.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTTFD022N10C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTTFD022N10C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
NTTFD022N10C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) |
товар відсутній |