NTTFD021N08C onsemi
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 233.35 грн |
10+ | 193.95 грн |
25+ | 167.26 грн |
100+ | 136.59 грн |
250+ | 135.2 грн |
500+ | 121.26 грн |
1000+ | 103.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFD021N08C onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTTFD021N08C за ціною від 95.61 грн до 212.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTTFD021N08C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTTFD021N08C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 20890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTTFD021N08C | Виробник : ON Semiconductor | 80V DUAL N-CH MOSFET |
товар відсутній |