![NTR4503NT1G NTR4503NT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4503NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V.
Інші пропозиції NTR4503NT1G за ціною від 5.42 грн до 31.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 21320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 11820 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |