NTPF600N80S3Z onsemi
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 224.41 грн |
10+ | 185.13 грн |
100+ | 117.08 грн |
1000+ | 97.57 грн |
5000+ | 96.87 грн |
10000+ | 96.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTPF600N80S3Z onsemi
Description: SF3 800V 600MOHM TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 180µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTPF600N80S3Z
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTPF600N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor | NTPF600N80S3Z |
товар відсутній |
||
NTPF600N80S3Z | Виробник : onsemi |
Description: SF3 800V 600MOHM TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 180µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 400 V |
товар відсутній |