Продукція > ONSEMI > NTP6410ANG
NTP6410ANG

NTP6410ANG onsemi

ntb6410an-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.92 грн
50+ 173.44 грн
100+ 148.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTP6410ANG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTP6410ANG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTP6410ANG Виробник : ON Semiconductor NTB6410AN-D-773305.pdf MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)