![NTP5860NG NTP5860NG](https://media.digikey.com/Photos/Rochester/MFG_TO2203L.jpg)
NTP5860NG onsemi
![NTB5860N-D.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
135+ | 173.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP5860NG onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 283W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTP5860NG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTP5860NG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |