Продукція > ONSEMI > NTMTSC4D3N15MC
NTMTSC4D3N15MC

NTMTSC4D3N15MC ONSEMI

ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+421.39 грн
25+ 383.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC4D3N15MC ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 293W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 293W, Bauform - Transistor: TDFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMTSC4D3N15MC за ціною від 202.18 грн до 480.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.72 грн
10+ 349.91 грн
100+ 283.05 грн
500+ 236.12 грн
1000+ 202.18 грн
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi NTMTSC4D3N15MC_D-2319006.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.95 грн
10+ 388.7 грн
25+ 319.19 грн
100+ 273.19 грн
250+ 257.86 грн
500+ 243.22 грн
1000+ 208.38 грн
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : ONSEMI ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+480.02 грн
10+ 421.39 грн
25+ 383.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : ON Semiconductor ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A T/R
товар відсутній
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi ntmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
товар відсутній