Продукція > ONSEMI > NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG

NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+220.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMTSC1D6N10MCTXG за ціною від 203 грн до 487.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : onsemi ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
на замовлення 13952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.73 грн
10+ 366.29 грн
100+ 296.33 грн
500+ 247.2 грн
1000+ 211.66 грн
NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : onsemi NTMTSC1D6N10MC_D-2319064.pdf MOSFET PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 DUAL COOL, 1.6 MOHMS MAX
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.46 грн
10+ 411.74 грн
100+ 289.91 грн
500+ 257.23 грн
1000+ 220.38 грн
3000+ 203 грн
NTMTSC1D6N10MCTXG NTMTSC1D6N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor ntmtsc1d6n10mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 8-Pin TDFNW EP T/R
товар відсутній