NTMTSC002N10MCTXG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 395.03 грн |
10+ | 319.13 грн |
100+ | 258.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTSC002N10MCTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NTMTSC002N10MCTXG за ціною від 190.26 грн до 455 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMTSC002N10MCTXG | Виробник : onsemi | MOSFET PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 DUAL COOL, 2.0 MOHMS MAX |
на замовлення 11241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTMTSC002N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTSC002N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 0.0017 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 236A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTMTSC002N10MCTXG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 45A 8-Pin TDFNW EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTMTSC002N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V |
товар відсутній |