![NTMTS1D2N08H NTMTS1D2N08H](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2614/488%7E507AP%7ETX%7E8-Top.jpg)
NTMTS1D2N08H onsemi
![ntmts1d2n08h-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 202.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS1D2N08H onsemi
Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMTS1D2N08H за ціною від 194.31 грн до 416.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMTS1D2N08H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V |
на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMTS1D2N08H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
NTMTS1D2N08H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
NTMTS1D2N08H | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |