Продукція > ONSEMI > NTMTS0D6N04CTXG
NTMTS0D6N04CTXG

NTMTS0D6N04CTXG onsemi


NTMTS0D6N04C_D-2319004.pdf Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 533A, 0.48mohm, PQFN 8x8
на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.39 грн
10+ 326.19 грн
100+ 244.62 грн
500+ 218.13 грн
1000+ 186.77 грн
3000+ 159.59 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS0D6N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 533A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTMTS0D6N04CTXG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor NTMTS0D6N04C_D-2319004.pdf MOSFET T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts0d6n04c-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi ntmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi ntmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
товар відсутній