![NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/PQFN-8_t.jpg)
NTMTS0D6N04CTXG onsemi
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 385.39 грн |
10+ | 326.19 грн |
100+ | 244.62 грн |
500+ | 218.13 грн |
1000+ | 186.77 грн |
3000+ | 159.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS0D6N04CTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 533A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTMTS0D6N04CTXG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMTS0D6N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTMTS0D6N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NTMTS0D6N04CTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|
![]() |
NTMTS0D6N04CTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V |
товар відсутній |