![NTMTS0D6N04CLTXG NTMTS0D6N04CLTXG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2614/488~507AP~TX~8-Top.jpg)
NTMTS0D6N04CLTXG onsemi
![ntmts0d6n04cl-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 343.01 грн |
10+ | 277.39 грн |
100+ | 224.41 грн |
500+ | 187.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS0D6N04CLTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTMTS0D6N04CLTXG за ціною від 163.08 грн до 367.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 252-261 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NTMTS0D6N04CLTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V |
товар відсутній |