![NTMTS002N08MC NTMTS002N08MC](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2614/488%7E507AP%7ETX%7E8-Top.jpg)
NTMTS002N08MC onsemi
![ntmts002n08mc-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 212.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMTS002N08MC onsemi
Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMTS002N08MC за ціною від 204.25 грн до 437.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMTS002N08MC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMTS002N08MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
NTMTS002N08MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |