Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMTS001N06CLTXG
NTMTS001N06CLTXG

NTMTS001N06CLTXG ON Semiconductor

ntmts001n06cl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+496.09 грн
10+ 491.37 грн
25+ 486.66 грн
100+ 464.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMTS001N06CLTXG ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 398.2A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMTS001N06CLTXG за ціною від 431.39 грн до 854.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMTS001N06CLTXG NTMTS001N06CLTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts001n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+529.17 грн
25+ 524.1 грн
100+ 500.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTMTS001N06CLTXG NTMTS001N06CLTXG Виробник : onsemi ntmts001n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+842.83 грн
10+ 746.21 грн
100+ 630.18 грн
500+ 526.1 грн
1000+ 482.56 грн
NTMTS001N06CLTXG NTMTS001N06CLTXG Виробник : onsemi NTMTS001N06CL_D-1534407.pdf MOSFET T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+854.53 грн
10+ 774.2 грн
100+ 569.38 грн
500+ 506.66 грн
1000+ 464.14 грн
3000+ 446.72 грн
6000+ 431.39 грн
NTMTS001N06CLTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts001n06cl-d.pdf
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMTS001N06CLTXG NTMTS001N06CLTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts001n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товар відсутній
NTMTS001N06CLTXG Виробник : ON Semiconductor ntmts001n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товар відсутній
NTMTS001N06CLTXG NTMTS001N06CLTXG Виробник : onsemi ntmts001n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
товар відсутній