Продукція > ONSEMI > NTMT190N65S3H
NTMT190N65S3H

NTMT190N65S3H onsemi

NTMT190N65S3H_D-2307254.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 16 A, 190 mohm, Power88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.65 грн
10+ 331.8 грн
100+ 233.47 грн
250+ 210.47 грн
500+ 198.62 грн
1000+ 177.71 грн
3000+ 167.26 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT190N65S3H onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 129W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTMT190N65S3H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntmt190n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 4-Pin TDFN EP Reel
товар відсутній
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : onsemi ntmt190n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товар відсутній
NTMT190N65S3H NTMT190N65S3H Виробник : onsemi ntmt190n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товар відсутній