![NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1046/4-PowerTSFN.jpg)
NTMT064N65S3H onsemi
![ntmt064n65s3h-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 331 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMT064N65S3H onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTMT064N65S3H за ціною від 319.23 грн до 669.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMT064N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V |
на замовлення 5841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMT064N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTMT064N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTMT064N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |