Продукція > ONSEMI > NTMT045N065SC1
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1 onsemi

NTMT045N065SC1_D-3150585.pdf Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+909.37 грн
10+ 768.21 грн
25+ 605.93 грн
100+ 557.26 грн
250+ 524.11 грн
500+ 491.66 грн
1000+ 442.28 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMT045N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTMT045N065SC1 за ціною від 732.32 грн до 1173.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMT045N065SC1 Виробник : onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1173.56 грн
10+ 995.56 грн
100+ 861.07 грн
500+ 732.32 грн
NTMT045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor ntmt045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R
товар відсутній
NTMT045N065SC1 Виробник : onsemi ntmt045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
товар відсутній