NTMFS6H836NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 63.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H836NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFS6H836NT1G за ціною від 53.46 грн до 168.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS6H836NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 89W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H836NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS6H836NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET T8 80V SO8FL |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H836NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS6H836NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NTMFS6H836NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H836NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS6H836NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товар відсутній |