Продукція > ONSEMI > NTMFS6H818NLT1G
NTMFS6H818NLT1G

NTMFS6H818NLT1G onsemi

NTMFS6H818NL_D-2318863.pdf Виробник: onsemi
MOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 313-322 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.79 грн
10+ 122.62 грн
100+ 85.02 грн
250+ 80.84 грн
500+ 71.09 грн
1000+ 60.63 грн
1500+ 57.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H818NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFS6H818NLT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818nl-d.pdf
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818nl-d.pdf MOSFET Power, Single, N Channel, 80 V, 3.2m 135 A
товар відсутній
NTMFS6H818NLT1G NTMFS6H818NLT1G Виробник : onsemi ntmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
товар відсутній
NTMFS6H818NLT1G NTMFS6H818NLT1G Виробник : onsemi ntmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
товар відсутній