NTMFS6H800NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.05 грн |
| 10+ | 165.81 грн |
| 100+ | 134.1 грн |
| 500+ | 111.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H800NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.
Інші пропозиції NTMFS6H800NT1G за ціною від 91.3 грн до 480.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS6H800NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS6H800NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS6H800NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS6H800NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTMFS6H800NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS6H800NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS6H800NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS6H800NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS6H800NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V |
товар відсутній |