![NTMFS6H800NLT1G NTMFS6H800NLT1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/488;-488AA;-;-5.jpg)
NTMFS6H800NLT1G onsemi
![ntmfs6h800nl-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.31 грн |
10+ | 165.88 грн |
100+ | 131.99 грн |
500+ | 104.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H800NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H800NLT1G за ціною від 120.57 грн до 267.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS6H800NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 499 шт: термін постачання 369-378 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMFS6H800NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8425 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NTMFS6H800NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
NTMFS6H800NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
NTMFS6H800NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V |
товар відсутній |