NTMFS5C628NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 51.58 грн |
| 3000+ | 47.18 грн |
| 7500+ | 45.41 грн |
| 10500+ | 41.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C628NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFS5C628NLT1G за ціною від 40.2 грн до 122.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 17190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 6 60V NFET |
на замовлення 21132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G Код товару: 178871 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товар відсутній |