Продукція > ONSEMI > NTMFS5C612NT1G-TE
NTMFS5C612NT1G-TE

NTMFS5C612NT1G-TE ONSEMI

3168487.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+191.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C612NT1G-TE ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMFS5C612NT1G-TE за ціною від 176.47 грн до 358.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c612n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+255.87 грн
10+ 235.72 грн
25+ 233.49 грн
50+ 222.84 грн
100+ 185.68 грн
250+ 176.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c612n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+275.55 грн
Мінімальне замовлення: 44
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : ONSEMI 3168487.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+307.28 грн
10+ 232.41 грн
100+ 191.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : onsemi ntmfs5c612n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.72 грн
10+ 290.04 грн
100+ 234.61 грн
500+ 195.71 грн
NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c612n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A T/R
товар відсутній
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : onsemi ntmfs5c612n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
товар відсутній
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE Виробник : onsemi NTMFS5C612N_D-2488155.pdf MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
товар відсутній