Продукція > ONSEMI > NTMFS5C426NT1G
NTMFS5C426NT1G

NTMFS5C426NT1G onsemi


ntmfs5c426n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+61.67 грн
3000+ 56.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C426NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 235A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMFS5C426NT1G за ціною від 65.69 грн до 327.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : onsemi ntmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.1 грн
10+ 103.92 грн
100+ 82.72 грн
500+ 65.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : onsemi NTMFS5C426N_D-2318995.pdf MOSFET T6D3F 40V NFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+291.99 грн
10+ 241.45 грн
25+ 198.83 грн
100+ 170.33 грн
250+ 161.29 грн
500+ 151.56 грн
1000+ 127.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+327.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS5C426NT1G
Код товару: 165532
ntmfs5c426n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній