NTMFS4C09NBT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.86 грн |
| 10+ | 55.9 грн |
| 100+ | 43.51 грн |
| 500+ | 34.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C09NBT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції NTMFS4C09NBT1G за ціною від 29.9 грн до 77.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : onsemi |
 MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 8660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |