Продукція > ONSEMI > NTMFS4C06NT1G
NTMFS4C06NT1G

NTMFS4C06NT1G onsemi

ntmfs4c06n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.29 грн
10+ 47.69 грн
100+ 33.05 грн
500+ 25.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C06NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C06NT1G за ціною від 20.98 грн до 61.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G Виробник : onsemi NTMFS4C06N_D-2319054.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 69A, 4mohm
на замовлення 41644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.22 грн
10+ 52.33 грн
100+ 31.5 грн
500+ 26.41 грн
1500+ 26.34 грн
3000+ 22.72 грн
9000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS4C06NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній