Продукція > ONSEMI > NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G

NTMFS4C05NT1G onsemi

ntmfs4c05n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+25.97 грн
3000+ 23.54 грн
7500+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C05NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMFS4C05NT1G за ціною від 21.33 грн до 115.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G Виробник : onsemi NTMFS4C05N_D-2318993.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
на замовлення 23161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.65 грн
10+ 41.11 грн
100+ 31.08 грн
500+ 28.92 грн
1000+ 28.64 грн
1500+ 23.76 грн
3000+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.56 грн
10+ 46.53 грн
100+ 36.22 грн
500+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G Виробник : ONSEMI 2160861.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.51 грн
500+ 43.63 грн
1500+ 39.47 грн
3000+ 38.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G Виробник : ONSEMI 2160861.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.71 грн
10+ 89.12 грн
100+ 65.51 грн
500+ 43.63 грн
1500+ 39.47 грн
3000+ 38.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMFS4C05NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c05n-d.pdf
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G Виробник : ON Semiconductor 594ntmfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній