Продукція > ONSEMI > NTMFS4C028NT1G
NTMFS4C028NT1G

NTMFS4C028NT1G onsemi

ntmfs4c028n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+34.6 грн
3000+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C028NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C028NT1G за ціною від 27.39 грн до 77.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS4C028NT1G NTMFS4C028NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c028n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.14 грн
10+ 65.55 грн
100+ 51.09 грн
500+ 39.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS4C028NT1G NTMFS4C028NT1G Виробник : onsemi NTMFS4C028N_D-2318894.pdf MOSFET TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.97 грн
10+ 68.68 грн
100+ 46.62 грн
500+ 38.54 грн
1000+ 30.94 грн
1500+ 27.81 грн
3000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMFS4C028NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c028n-d.pdf
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4C028NT1G NTMFS4C028NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c028n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25.3A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4C028NT1G NTMFS4C028NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c028n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній