Продукція > ONSEMI > NTMFS4C020NT1G
NTMFS4C020NT1G

NTMFS4C020NT1G onsemi

ntmfs4c020n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C020NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C020NT1G за ціною від 58.96 грн до 161.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS4C020NT1G NTMFS4C020NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c020n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.27 грн
10+ 118.98 грн
100+ 94.72 грн
500+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS4C020NT1G NTMFS4C020NT1G Виробник : onsemi NTMFS4C020N_D-2318828.pdf MOSFET TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+161.8 грн
10+ 132.24 грн
100+ 110.11 грн
500+ 75.96 грн
1000+ 64.19 грн
1500+ 60.91 грн
3000+ 58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS4C020NT1G NTMFS4C020NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c020n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4C020NT1G NTMFS4C020NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c020n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній