Продукція > ONSEMI > NTMFS4898NFT1G
NTMFS4898NFT1G

NTMFS4898NFT1G onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SO-8FL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V
на замовлення 23815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
460+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 460
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4898NFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V SO-8FL, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTMFS4898NFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS4898NFT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4898nf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT1G NTMFS4898NFT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4898nf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT1G NTMFS4898NFT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V SO-8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V
товар відсутній