NTMFS4852NT1G

NTMFS4852NT1G ON Semiconductor


ntmfs4852n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.83 грн
100+ 44.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4852NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTMFS4852NT1G за ціною від 47.44 грн до 110.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4852n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+50.43 грн
255+ 47.44 грн
Мінімальне замовлення: 240
NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT1G Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - NTMFS4852NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 25A, 150DEG C, 86.2W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.55 грн
10+ 87.55 грн
100+ 68.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT1G Виробник : ON Semiconductor NTMFS4852N-D-1814019.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4852n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V
товар відсутній