Продукція > ONSEMI > NTMFS2D5N08XT1G
NTMFS2D5N08XT1G

NTMFS2D5N08XT1G onsemi

NTMFS2D5N08X_D-3388336.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.1mohm, 181 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.1mohm, 181 A
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.46 грн
10+ 127.09 грн
100+ 80.37 грн
250+ 79.65 грн
500+ 64.15 грн
1000+ 62.57 грн
1500+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS2D5N08XT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 181A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS2D5N08XT1G за ціною від 55.2 грн до 187.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G Виробник : onsemi ntmfs2d5n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.08 грн
10+ 116.46 грн
100+ 80.1 грн
500+ 60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS2D5N08XT1G Виробник : ONSEMI ntmfs2d5n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+75.27 грн
500+ 62.64 грн
1000+ 55.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS2D5N08XT1G Виробник : ONSEMI ntmfs2d5n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.65 грн
10+ 90.96 грн
100+ 75.27 грн
500+ 62.64 грн
1000+ 55.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs2d5n08x-d.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G Виробник : onsemi ntmfs2d5n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товар відсутній