![NTMFS1D7N03CGT1G NTMFS1D7N03CGT1G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE8SOF-40.jpg)
NTMFS1D7N03CGT1G ONSEMI
![ntmfs1d7n03cg-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 63.56 грн |
500+ | 40.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS1D7N03CGT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 87W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 87W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTMFS1D7N03CGT1G за ціною від 67.39 грн до 197.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS1D7N03CGT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS1D7N03CGT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 87W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 87W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS1D7N03CGT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS1D7N03CGT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS1D7N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |