![NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE8SOF-40.jpg)
NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI
![3191516.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 161.05 грн |
500+ | 117.6 грн |
1500+ | 106.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm.
Інші пропозиції NTMFS0D8N03CT1G за ціною від 98.96 грн до 273.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS0D8N03CT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS0D8N03CT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 337A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS0D8N03CT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NTMFS0D8N03CT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NTMFS0D8N03CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |