Продукція > ONSEMI > NTMFS08N004C
NTMFS08N004C

NTMFS08N004C ONSEMI


ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS08N004C ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS08N004C за ціною від 139.94 грн до 160.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS08N004C NTMFS08N004C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+160.27 грн
10+ 139.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMFS08N004C NTMFS08N004C Виробник : ON Semiconductor ntmfs08n004c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N004C NTMFS08N004C Виробник : ON Semiconductor / Fairchild NTMFS08N004C-D-1141878.pdf MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
товар відсутній