Продукція > ONSEMI > NTMFS002N10MCLT1G
NTMFS002N10MCLT1G

NTMFS002N10MCLT1G ONSEMI

3708145.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+154.01 грн
500+ 114.7 грн
1500+ 104.54 грн
3000+ 103.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS002N10MCLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMFS002N10MCLT1G за ціною від 103.87 грн до 268.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi ntmfs002n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.41 грн
10+ 182.58 грн
100+ 147.68 грн
500+ 123.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ONSEMI 3708145.pdf Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+268.16 грн
10+ 189.19 грн
100+ 154.01 грн
500+ 114.7 грн
1500+ 104.54 грн
3000+ 103.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi NTMFS002N10MCL_D-2944162.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.11 грн
10+ 200.36 грн
25+ 164.47 грн
100+ 141.47 грн
250+ 133.81 грн
500+ 124.75 грн
1000+ 107.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi ntmfs002n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товар відсутній