NTMD5838NLR2G ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.8 грн |
| 5000+ | 21.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMD5838NLR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: NSOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02, Dauer-Drainstrom Id: 7.4, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2.1, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NTMD5838NLR2G за ціною від 33.38 грн до 70.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMD5838NLR2G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTMD5838NLR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMD5838NLR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 euEccn: NLR Bauform - Transistor: NSOIC Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 20085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTMD5838NLR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: NSOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2.1 Drain-Source-Spannung Vds: 40 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02 Dauer-Drainstrom Id: 7.4 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 20085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMD5838NLR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
NTMD5838NLR2G Код товару: 204296 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
NTMD5838NLR2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
NTMD5838NLR2G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFETDPAK40V100A3.7M OHM |
товар відсутній |