![NTHS4166NT1G NTHS4166NT1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/986/8-ChipFET.jpg)
NTHS4166NT1G onsemi
![nths4166n-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.56 грн |
10+ | 47.19 грн |
100+ | 36.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHS4166NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTHS4166NT1G за ціною від 24.53 грн до 71.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTHS4166NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTHS4166NT1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTHS4166NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTHS4166NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V |
товар відсутній |