NTHS2101PT1 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 681279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHS2101PT1 ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHS2101PT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHS2101PT1 |
|
на замовлення 457 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
NTHS2101PT1 | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
товар відсутній |