![NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/TO2473LD-340CX_t.jpg)
NTHL1000N170M1 onsemi
![NTHL1000N170M1_D-3150250.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 356.94 грн |
10+ | 294.93 грн |
25+ | 242.53 грн |
100+ | 208.38 грн |
250+ | 196.53 грн |
450+ | 183.99 грн |
900+ | 157.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL1000N170M1 onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 48W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції NTHL1000N170M1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTHL1000N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
NTHL1000N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
NTHL1000N170M1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
NTHL1000N170M1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 48W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V |
товар відсутній |