NTHL050N65S3HF onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 955.91 грн |
30+ | 745.33 грн |
120+ | 701.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL050N65S3HF onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 378W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHL050N65S3HF за ціною від 558.23 грн до 1028.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTHL050N65S3HF | Виробник : onsemi | MOSFETs SF3 650V 50MOHM |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL050N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NTHL050N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL050N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL050N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 37A Pulsed drain current: 145A Power dissipation: 378W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL050N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 37A Pulsed drain current: 145A Power dissipation: 378W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |