Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S ON Semiconductor

nthl022n120m3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1085.72 грн
10+ 994.31 грн
25+ 985.66 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL022N120M3S ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL022N120M3S за ціною від 816.88 грн до 1380.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1169.24 грн
12+ 1074.82 грн
25+ 1061.56 грн
50+ 983.04 грн
100+ 867.24 грн
250+ 819.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1209.95 грн
11+ 1132.2 грн
20+ 1062.43 грн
50+ 960.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi nthl022n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1288.24 грн
10+ 1093.37 грн
450+ 856.98 грн
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+1320.8 грн
60+ 1239.04 грн
120+ 1175.78 грн
180+ 1085.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi NTHL022N120M3S_D-3150378.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1380.47 грн
10+ 1199.25 грн
25+ 1014.32 грн
50+ 958.01 грн
100+ 901.7 грн
250+ 873.19 грн
450+ 816.88 грн
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
товар відсутній